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内存DDR2和DDR3有什么不同

发布时间:2019-11-24 00:03:30

DDR3有望明年出世

速度在不断飙升!AMD的AM2接口 K8架构处理器引入最高DDR2 800的支持,而Intel也在7月23日发布了万众期待的Conroe处理器并进行史上规模最大的恐怖袭击;电脑市场似乎在2006年已经提前进入了DDR2 800的极速时代。RD600支持1500Mhz的前端总线超频,可惜在Computex 2006台北电脑展上面,RD600似乎临时放弃了DDR3内存的支持,转为支持DDR2 1066的内存,所以DDR3内存未能在2006年和观众们见面。

DDR3相比起DDR2有更低的工作电压, 从DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更为省电;DDR2的4bit预读升级为8bit预读,DDR3目前最高能够可以达到1600Mhz的速度,由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。在 Computex大展我们已经可以看到多个内存厂商展出1333Mhz的DDR3模组了。

DDR3在DDR2基础上采用了8bit预取设计;点对点的拓朴架构,以及100nm以下的生产工艺等最新工艺,那么DDR3与DDR2到底有那些不一样的地方呢?相比DDR2发烧友和玩家们可以得到那些性能上的提升呢?

更灵活的突发长度

由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop突发突变模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制

寻址时序提高

就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在 5~11之间,且附加延迟的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3 还新增加了一个时序参数:写入延迟,这一参数将根据具体的工作频率而定。

新增重置功能

重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。

在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。

新增ZQ校准功能

ZQ也是DDR3一个新增的引脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。

当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期,在加电与初始化之后用512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期;对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

电压分成两个和点对点连接

在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级

这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系,或者是点对双点的关系,从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM、SO-DIMM/Micro-DIMM、FB-DIMM2之分,其中第二代FB-DIMM 将采用规格更高的AMB2高级内存缓冲器。

DDR3的未来,一片光明

面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面也比DDR2要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是笔记本和服务器一样。

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